稀土钇掺杂多孔硅光致发光研究

• 作者: 孙小菁 李勇 李锡森 蔡利霞 马书懿
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 稀土钇掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1108-1110,1114
• 页数: 4页
• 分类号: O734
• 字数: 3506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.07.015

摘要

采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土钇(Y)元素.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性.多孔硅样品在440nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰位于620nm,认为其来源于Si-O复合物的发光中心;多孔硅样品在390nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰分别位于527和576nm,并且用量子限制/发光中心模型加以解释.钇掺杂多孔硅样品的光致发光强度明显增强,并且在484nm附近出现新的发光峰.分析结果认为,这是由于钇的掺入,在多孔硅禁带中形成了新的表面能级,从而形成新的发光中心的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	李勇	西北师范大学物理与电子工程学院	32	259	6.0	15.0
3	孙小菁	西北师范大学物理与电子工程学院	10	65	4.0	8.0
4	蔡利霞	西北师范大学物理与电子工程学院	6	20	3.0	4.0
5	李锡森	西北师范大学物理与电子工程学院	5	18	3.0	4.0