氮化硅薄膜对硅片背表面的钝化作用

• 作者: 周国华 施正荣 朱拓
• 来源期刊: 能源工程
• 学科: 工学
• 关键词: 背面钝化 氮化硅 少子寿命
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 新能源及工艺
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2147字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3950.2008.01.007

摘要

采用等离子体增强化学沉积的方法(PECVD),在低衬体温度下制备不同厚度的双面氮化硅薄膜,通过准稳态电导法(QSSPCD)测试non-diffused和diffused硅片沉积不同厚度双面氮化硅薄膜烧结前后的少子寿命,研究发现,氮化硅薄膜厚度在17 nm左右的时候,背面钝化效果有所下降,超过26 nm的时候,效果基本一致.non-diffused烧结后的少子寿命下降很大,而diffused与之相反.结果表明,采用氮化硅作为背面钝化介质膜,可以改善材料的少子寿命,背面钝化膜可以选择在26～75 nm之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱拓	江南大学理学院	68	553	13.0	19.0
2	施正荣	江南大学理学院	7	69	4.0	7.0
6	周国华	江南大学信控学院	3	12	2.0	3.0