聚酰亚胺/纳米有机硅薄膜结构与电性能研究

• 作者: 张辰威 李娟 李翠翠 范勇 陈昊
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 纳米有机硅 电性能
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 37-39,43
• 页数: 4页
• 分类号: TQ323.7|TB332|TM215
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2008.01.012

摘要

通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶一凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜.对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌.结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范勇	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	70	539	13.0	18.0
2	陈昊	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	32	202	8.0	12.0
3	李娟	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	15	114	7.0	10.0
4	李翠翠	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	1	8	1.0	1.0
5	张辰威	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	1	8	1.0	1.0