掺杂对准同型相界附近PMN-PT陶瓷介电和铁电性能的影响

• 作者: 庄志强 谈鸿恩
• 来源期刊: 陶瓷学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压电陶瓷 PMN-PT 相结构 介电 铁电 掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 360-366
• 页数: 7页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 4210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2278.2008.04.012

摘要

采用氧化物固相反应法制备了A、B位离子掺杂O.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33 PbTiO3陶瓷,研究了掺杂对陶瓷的相结构、介电和铁电性能等的影响.Sm和La两种A位掺杂离子的引入,均较大幅度的降低了样品的介电常数峰温和声誉极化值,同时材料的最大介电常数也有了不同程度的降低.而随着B位离子Mn掺杂量的增加,使陶瓷样品中钙钛矿相逐渐增加,焦绿石相逐渐降低;而且部分掺杂的Mn离子会进入到品格的B位,形成第二相;同时随着Mn离子掺杂量的增加,介电峰值逐渐增大,压电性能有所提高,弥散度依次增大.当锰掺杂量为1.5%mol时的压电陶瓷组分,其介电和压电性能各为:8=2300,Kp=0.54,Qm=900,tanδ=0.004,d33=400pC/N,适合于制作大功率压电陶瓷变压器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄志强	华南理工大学材料科学与工程学院	61	663	13.0	23.0
2	谈鸿恩	华南理工大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0