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摘要:
基于规范化分段线性模型技术,建立了高压DMOS器件的SPICE宏模型用于功率集成电路的仿真.从等效电路模型出发,利用Powell算法找到规范化分段线性模型的最佳系数,从而利用节点电压可以直接描述DMOS器件的各种非线性特性.该模型不仅准确性高,而且仿真速度快、收敛性好.最后,给出了仿真与测试的对比结果,证明了模型的有效性和准确性.
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文献信息
篇名 一种用于功率IC的新型SPICE宏模型
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 功率IC SPICE 宏模型 双扩散MOS
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 229-233
页数 5页 分类号 TN402
字数 619字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李海松 东南大学国家专用集成电路与系统工程技术研究中心 13 75 4.0 8.0
2 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路与系统工程技术研究中心 105 634 13.0 19.0
3 周玉梅 中国科学院微电子研究所 94 1031 16.0 28.0
4 赵野 中国科学院微电子研究所 21 56 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
功率IC
SPICE
宏模型
双扩散MOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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