介电层/PbZr0.4Ti0.6O3/介电层模块的高容量电荷存储

• 作者: 傅广生 刘保亭 王英龙 褚立志 魏同茹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 铁电薄膜 电荷存储容量 理论模拟 介电响应
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 69-71
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 2372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.06.020

摘要

基于Landau-Devonshire自由能理论建立了热力学模型,分析了介电/ PbZr0.4Ti0.6O3/介电三层结构的临界厚度分数与介电层介电常数的关系,进而得出电荷存储容量.结果表明:当介电层厚度所占比例达到临界值时,具有较高的电荷存储容量.介电层的εr越大,介电层临界厚度分数λm越大,平均介电响应越小,内电场诱导的介电层极化强度越大.对于SiO2/ PbZr0.4Ti0.6O3/SiO2其λm约0.37%,介电响应约-2.42×104.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
5	魏同茹	河北大学物理科学与技术学院	5	15	2.0	3.0