退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响

• 作者: 王天民 王宝义 程峰 钟玉荣 魏龙
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: CsI薄膜 热蒸发 闪烁性能
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|TL812
• 字数: 1760字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.01.004

摘要

采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsI薄膜,然后进行不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsI薄膜样品进行分析,测得241Am的脉冲高度谱,通过单光子法测量样品的光产额.结果表明,该CsI薄膜沿(200)晶面择优取向生长.退火温度对CsI薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响.CsI薄膜经过250℃退火后,(200)晶面衍射峰明显增强,结晶状态最佳,光产额最高,而退火温度达400℃时,薄膜结构发生显著变化,闪烁性能急剧下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程峰	兰州大学物理科学与技术学院	9	85	5.0	9.0
3	王天民	北京航空航天大学理学院	140	1545	22.0	32.0
4	王宝义	中国科学院高能物理研究所	69	258	9.0	12.0
5	魏龙	中国科学院高能物理研究所	50	325	10.0	16.0
8	钟玉荣	中国科学院高能物理研究所	5	11	3.0	3.0