基于光刻模型的动态自适应切分OPC

• 作者: 严晓浪 史峥 杨祎巍 陈晔
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学邻近校正 可制造型设计 动态切分 光刻模型
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1422-1427
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.040

摘要

光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波、断线和桥连等现象.论文提出了一种新的基于光刻模型的动态自适应切分算法,根据不同的光刻模型和几何环境可以给出不同的切分,并且可在校正循环中动态改变切分方式和采样点的放置位置.通过90nm工艺下版图设计的验证,这种切分不仅减少了被切分出的小线段(segment)数量的10%～15%,节省了调试切分规则的时间,而且提高了 OPC的质量,使PRV(post RET verification)错误率降低了35%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晔	浙江大学超大规模集成电路研究所	20	131	6.0	11.0
2	史峥	浙江大学超大规模集成电路研究所	51	176	7.0	11.0
3	严晓浪	浙江大学超大规模集成电路研究所	246	1634	19.0	29.0
4	杨祎巍	浙江大学超大规模集成电路研究所	4	16	2.0	4.0