具有阶梯势垒的低压有机电致发光器件

• 作者: 张志林 徐维 朱文清 蒋雪茵 鲁富翰
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜电致发光 低压 阶梯势垒 隧穿理论
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 865-868
• 页数: 4页
• 分类号: TN383
• 字数: 2375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.07.002

摘要

在2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(TBADN)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)界面及TBADN/4'7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(Bphen)界面上插入Gaq薄膜作为阶梯势垒,使有机电致发光器件的电子注入得到改善.由于Gaq(2.9 eV)的LUMO(分子最低空余轨道能级)位于Alq3(3.1 eV)(或 Bphen(3.0 eV))的LUMO和TBADN的LUMO(2.8 eV)之间,形成了从Alq3(或Bphen)经Gaq到TBADN的势垒阶梯,提高了电子注入,进而提高了器件效率.实验表明:与没有阶梯势垒的器件相比,无论是单一电子器件还是完整器件,在相同电流密度下,具有阶梯势垒的器件的电压都有所下降.在电流密度为20 mA/cm2时,当电子传输层为Alq3时,单一电子器件的电压从7.9 V降到4.9 V,完整器件的电压从7 V降到5.8 V;当电子传输层为Bphen时,单一电子器件的电压从4.2 V降到3.1 V,完整器件的电压从6.2 V降到5.1 V.在电流密度为200 mA/cm2,Alq3为电子传输层时,亮度从1 992 cd/m2升到3 281 cd/m2,最高亮度达到3 420 cd/m2,Bphen为电子传输层时,亮度从1 745 cd/m2 升到2 876 cd/m2,最高亮度达到3 176 cd/m2.本文运用能级隧穿理论对上述现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱文清	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	91	721	14.0	17.0
5	蒋雪茵	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	102	764	14.0	17.0
6	张志林	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	100	763	14.0	17.0
10	徐维	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	2	7	2.0	2.0
14	鲁富翰	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	3	11	3.0	3.0