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摘要:
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射Mo中间层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β-Ga2O3.X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明,制备的样品为β-Ga2O3.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,合成的棒具有直而光滑的表面,其直径在70~200nm左右.室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射.另外,简单讨论棒状β-Ga2O3的生长机制.
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文献信息
篇名 棒状氧化镓的合成和发光性质研究
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 β-Ga2O3 棒 磁控溅射 光致发光
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 研究与开发
研究方向 页码范围 681-683
页数 3页 分类号 TN304
字数 2708字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.04.044
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 薛成山 5 21 2.0 4.0
2 庄惠照 2 8 1.0 2.0
3 张士英 1 7 1.0 1.0
4 李保理 1 7 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
β-Ga2O3 棒
磁控溅射
光致发光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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