BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用

• 作者: 吕洪涛 张铮栋 程东方
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压横向扩散金属氧化物半导体 优化 反向传播神经网络
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 381-383,408
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.004

摘要

利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计.将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化.结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程东方	上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	18	112	6.0	10.0
2	吕洪涛	上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	张铮栋	上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0