异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型

• 作者: 刘红侠 栾苏珍 王瑾 贾仁需
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流 二维解析模型
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 746-750
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.025

摘要

在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移.扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求解简单,文中给出了一种分段近似方法,从而得到表面势的解析表达式.结果表明,所得到的表面势解析表达式和确切解的结果高度吻合.二维器件数值模拟器ISE验证了通过表面势解析表达式得到的亚阈值电流模型,在亚阈值区二者所得结果吻合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	贾仁需	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	53	4.0	7.0
3	栾苏珍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	28	3.0	5.0
4	王瑾	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	20	2.0	3.0