低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响

• 作者: 刘大力 徐经纬 白石英 石增良 闫小龙 高忠民
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 MOCVD 低温缓冲层 XRD SEM
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 第八届全国发光学学术会议研究论文
• 页码范围: 124-128
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2840字
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜.为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜.通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变.利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高.这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石增良	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	8	2.0	2.0
2	刘大力	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	8	2.0	2.0
3	闫小龙	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	8	2.0	2.0
4	高忠民	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	8	2.0	2.0
5	徐经纬	中国科学院长春应用化学研究所国家电化学和光谱研究分析中心	1	5	1.0	1.0