P型掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的制备和性能研究

• 作者: 张群 施展 李桂锋 王颖华 谭华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电薄膜 p型半导体 渠道火花烧蚀 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 199-202
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3404字
• 语种: 中文

摘要

采用渠道火花烧蚀技术,在普通玻璃基板上制备掺锌硫化铜铝CuAl0.90Zn0.10S2透明导电薄膜.运用X射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的晶体结构和表面形貌.研究不同的制备条件对薄膜光电性能的影响.结果显示,薄膜表面平整致密,均为p型导电.氩气压强和基板温度对薄膜的电阻率和载流子浓度具有显著影响,例如,随着氩气压强增加,电阻率会先降低再上升,而载流子浓度则先增加再降低.在优化的制备条件下,薄膜的电阻率最小值为0.2 Ω·cm,载流子浓度为6.67×1018 cm-3,载流子迁移率最大为1.06 cm2V-1S-1.在基板温度Ts=500 ℃时,获得了室温下最高电导率为50.9 S·cm-1的薄膜.薄膜可见光区域的平均透射率大于60%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	李桂锋	复旦大学材料科学系	7	25	3.0	4.0
3	王颖华	复旦大学材料科学系	4	16	2.0	4.0
4	谭华	复旦大学材料科学系	3	12	2.0	3.0
5	施展	复旦大学材料科学系	10	32	4.0	5.0