动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价

• 作者: 刘红侠 栾苏珍 贾仁需
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超薄栅氧化层 斜坡电压 经时击穿
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2524-2528
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.087

摘要

实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电子很少,同时低电平应力时间内一部分电荷退陷,形成的中性电子陷阱更少.随着应力时间的累积,中性电子陷阱达到某个临界值,栅氧化层突然击穿.高电平时形成的陷阱较少和低电平时一部分电荷退陷,使得器件的寿命提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	贾仁需	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	53	4.0	7.0
3	栾苏珍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	28	3.0	5.0