中频直流磁控反应溅射法制备掺铝氧化锌薄膜的研究

• 作者: 刘玉芬 卢景霄 林清耿 郜小勇
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中频直流反应磁控溅射 掺铝氧化锌薄膜 C轴择优取向 吸收边
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 566-569
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 2627字
• 语种: 中文

摘要

利用中频直流磁控反应溅射法(MF-DC-MS)在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜.利用x射线衍射(XRD)、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.研究结果表明3h的沉积使AZO薄膜丧失了(002)c轴择优取向.随着衬底温度由210~C升高到270~C,AZO薄膜的电阻率从7.5×1013Qcm降低到2.5×10-3cm.高于270~C后,电阻率又略有升高.电阻率的变化趋势可从薄膜微观结构的角度得到合理解释.随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边先发生了蓝移.高于270%后,又发生了红移.利用Burstein-Moss效应分析了AZO薄膜吸收边的蓝移和红移.该结果和电阻率的结果相印证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇		52	301	10.0	14.0
2	卢景霄		100	570	12.0	17.0
3	刘玉芬		5	34	4.0	5.0
4	林清耿		2	16	2.0	2.0