在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜

• 作者: 何海平 刘暐昌 叶志镇 朱丽萍 简二梅 赵炳辉 顾修全
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型导电 In-N共掺 直流反应磁控溅射法 ZnO薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 491-494
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O472.4
• 字数: 984字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向.Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6 Ω·cm,霍尔迁移率为0.111 cm2 ·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018 cm-3.X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入.紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾修全	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
3	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
4	何海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
5	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
6	简二梅	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
7	刘暐昌	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	2	1.0	1.0