La掺杂n型Mg2Si基半导体的热电性能研究

• 作者: 张倩 朱铁军 殷浩 赵新兵
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 Mg2Si 掺杂 La
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 2008-2010,2014
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TG132.2
• 字数: 2324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.12.021

摘要

采用感应熔炼然后热压的方法制备了La掺杂Mg2Si基热电材料Mg2-xLaxSi(x=0、0.002、0.005、0.010、0.015).La在Mg2Si中占Mg位,当x≥0.005时,出现第二相LaMg.性能测试表明,Mg2-xLaxSi的导电类型为n型,Seebeck系数的绝对值随La含量的增多而减小,电导率和热导率均随La含量的增多而增大,在测试温度范围内,Mg1.995La0.005Si具有最高的ZT值,在774K温度下达到0.42.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵新兵	浙江大学硅材料国家重点实验室	127	1559	21.0	33.0
2	张倩	浙江大学硅材料国家重点实验室	21	167	7.0	12.0
3	朱铁军	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	453	12.0	20.0
4	殷浩	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	84	7.0	7.0