HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征

• 作者: 刘喆 曾一平 李晋闽 林郭强 段瑞飞 王军喜 王晓亮 马平 魏同波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 选区外延 氢化物气相外延
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 530-533
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.024

摘要

使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在C面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)和喇曼谱测试(Raman shift)对薄膜进行分析.结果表明,在C面蓝宝石衬底上独立的正方形窗口区域中外延生长的,厚度约20μm的GaN薄膜,当窗口面积为100μm×100μm时,GaN表面无裂纹;而当窗口面积为300μm×300μm和500μm×500μm时,GaN表面有裂纹.随着窗口面积的减小,GaN双晶衍射摇摆曲线的(0002)峰的半高宽(FWHM)减小,表明晶体的质量更好,最小的半高宽为530".从正方形窗口区的角上到边缘再到中心,GaN的面内压应力逐渐减小,分析认为这与OaN横向外延区(ELO区)与SiO2掩膜之间的相互作用,以及窗口区到ELO区的线位错的90"扭转有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
3	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
4	段瑞飞	中国科学院半导体研究所	8	34	4.0	5.0
5	马平	中国科学院半导体研究所	45	544	12.0	21.0
6	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
7	魏同波	中国科学院半导体研究所	13	254	7.0	13.0
8	林郭强	中国科学院半导体研究所	2	15	2.0	2.0
9	刘喆	中国科学院半导体研究所	16	86	6.0	8.0