CdSe-SiO2光子晶体的垂直沉积及近红外变频特性

• 作者: 于子龙 介万奇 阎晓红 陈福义
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 胶体晶体 光子带隙 垂直沉积 CdSe
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 20-22,25
• 页数: 4页
• 分类号: TN204
• 字数: 3039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.01.006

摘要

在氧化铟锡玻璃上电化学合成了CdSe薄膜,采用垂直沉积法首次在CdSe薄膜上制备了SiO2胶体晶体, 实现了CdSe表面介电常数的调节.扫描电镜观察表明,500nm微球在CdSe薄膜上呈面心立方密堆结构排列,在微米尺度上胶体晶体显示出一定的多晶序.与SiO2胶体晶体相比,CdSe-SiO2光子晶体的UV-vis-NIR透射谱只有一个较宽的光子带隙,带隙在近红外波段随入射角减小向短波方向移动.所得CdSe-SiO2光子晶体样品可作为地面目标针对红外卫星成像的伪装材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	陈福义	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	37	110	5.0	8.0
3	于子龙	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	6	35	3.0	5.0
4	阎晓红	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	1	5	1.0	1.0