室温直流磁控溅射制备ITO膜及光电性能研究

• 作者: 姚宁 张兵临 李全友 王执乾 葛宝全
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 室温 ITO膜 直流磁控溅射 电阻率 透光率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 2251字
• 语种: 中文

摘要

室温条件下,在玻璃衬底上,采用直流磁控溅射法制备了ITO膜.研究了溅射压强,氧流量和溅射功率等工艺参数对薄膜光电性能的影响.结果表明:当Ar流量为44.2 sccm和溅射时间20 min等参数不变时,溅射气压0.7 Pa,氧流量0.62 sccm和溅射功率130 W为最佳工艺条件.并得到了电阻率5.02×10-4 Ω·cm,在可见光区平均透过率80%以上ITO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛宝全	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	16	2.0	3.0
2	姚宁	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	122	692	12.0	18.0
3	张兵临	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	95	608	12.0	18.0
4	李全友	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	23	3.0	3.0
5	王执乾	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	2	13	2.0	2.0