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摘要:
对渗气阴极真空电弧法制备的四而体非晶炭(ta-c)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化.应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的淌除(程度).样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故.
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文献信息
篇名 石墨表层对四面体非晶炭膜中受激电子的石墨建序化作用
来源期刊 新型炭材料 学科 工学
关键词 炭膜 表面 等离子体 石墨化
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 241-244
页数 4页 分类号 TQ127.1+1
字数 285字 语种 中文
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新型炭材料
双月刊
1007-8827
14-1116/TQ
16开
太原市165信箱
1985
chi
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1787
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3
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28123
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