PECVD SiO2 薄膜内应力研究

• 作者: 孙俊峰 石霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 内应力 二氧化硅薄膜 等离子增强化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 397-400
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.009

摘要

研究了等离子体增强化学气相淀积(PWCVD)法生长SiO2薄膜的内应力.借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响.同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石霞		3	31	2.0	3.0
2	孙俊峰		5	43	3.0	5.0