阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用

• 作者: 修向前 刘战辉 刘斌 张荣 李亮 江若琏 谢自力 赵红 郑有炓 陆海 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阴极荧光联合分析系统 Ⅲ族氮化物 阴极荧光特性
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1184-1188
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2935字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.032

摘要

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.