ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究

• 作者: 刘明 张庆钊 朱效立 李兵 谢常青 陈宝钦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 射频偏压 ICP 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 980-983
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.034

摘要

对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数--下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	李兵	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	79	708	16.0	24.0
3	谢常青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	258	9.0	12.0
4	朱效立	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	19	86	6.0	8.0
5	张庆钊	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	5	13	2.0	3.0