溅射技术在SiC薄膜沉积中的应用和工艺研究进展

• 作者: 弓满锋 李玲 梅芳
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 溅射技术 SiC薄膜 进展
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 综述·专论
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 4742字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2008.02.027

摘要

近年来,国内外SiC薄膜材料制备工艺研究迅速发展,由此带来SiC薄膜性能方面的研究也获得长足的进步,新技术、新工艺、新性能不断涌现.溅射SiC技术相对于其它沉积技术(CVD、PIP等)有许多独特的优点:沉积温度低、结合性和致密性好、表面平整、硬度高、光电性能优异以及工艺安全环保等,因此越来越受到重视,且已经成为沉积高性能SiC薄膜的重要技术方法.主要论述了几种不同溅射技术,着重介绍了溅射技术在SiC薄膜制备中的研究进展及SiC薄膜性能方面的研究进展和应用,并且展望了溅射技术制备SiC薄膜的发展前景和当前热点研究领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	弓满锋	湛江师范学院物理系	28	102	6.0	8.0
3	梅芳	湛江师范学院物理系	22	47	4.0	5.0
6	李玲	湛江师范学院物理系	2	14	1.0	2.0