低能离子束诱发大肠杆菌甲基化效应研究

• 作者: 余增亮 姚建铭 李文 王陶 谢传晓 赵世光
• 来源期刊: 激光生物学报
• 关键词: 低能离子束 甲基化 表观遗传效应 大肠杆菌
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 字数: 4088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7146.2008.01.004

摘要

表观遗传学是指在DNA序列未发生变化的情况下,基因表达发生可遗传的变化,而甲基化水平的变化是表观遗传效应的重要指标.在构建一种新的敏感大肠杆菌Dam(GATC)位点甲基化检测方法的基础上,探讨了不同种类及剂量低能离子注入甲基缺陷型菌株GM2929前后甲基化水平的变化.结果表明:能量为10keV,剂量为3.9×1015ions/cm2、4.68×1015 ions/cm2的氮离子以及能量为10 keV,剂量为4.68×1015 ions/cm2的氩离子都不能诱发大肠杆菌甲基化,产生表观遗传效应,可遗传的变异与活细胞甲基化没有关系.