InP基谐振隧穿二极管的研究

• 作者: 冯震 周瑞 张志国 张雄文 李亚丽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 谐振隧穿二极管 电流峰谷比 铟磷基外延材料
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 141-143
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.013

摘要

谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景.加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点.研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志国		7	48	4.0	6.0
2	李亚丽		3	5	2.0	2.0
3	张雄文		3	5	2.0	2.0
4	冯震		4	18	2.0	4.0
5	周瑞		4	5	2.0	2.0