隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响

• 作者: 丁磊 许剑 钟传杰 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阈值电压 二维效应 全耗尽SOI HALO结构
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 559-562
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.030

摘要

在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	钟传杰	江南大学信息工程学院	53	90	5.0	7.0
3	丁磊	江南大学信息工程学院	6	9	2.0	2.0
4	许剑	江南大学信息工程学院	3	3	1.0	1.0