超导HEB器件制备中的图形转移技术研究

• 作者: 吴培亨 康琳 王玉 王金平 钟扬音
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: HEB EBL 光刻 RIE
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TM2
• 字数: 2003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2008.11.006

摘要

超导HEB热电子混频技术是目前1THZ以上频段的最佳候选技术.在HEB器件的制备中,成功刻蚀微桥是关键.文章利用EBL、光刻技术、RIE技术相结合的方式,对如何成功刻蚀微桥进行了深入研究.并通过对EBL、光刻技术和RIE条件的研究分析,确定了最佳实验条件,成功实现了HEB器件的图形转移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学超导电子研究所	93	237	8.0	12.0
2	王玉	南京大学超导电子研究所	20	163	7.0	12.0
3	康琳	南京大学超导电子研究所	57	212	8.0	12.0
4	王金平	南京大学超导电子研究所	7	106	4.0	7.0
5	钟扬音	南京大学超导电子研究所	2	0	0.0	0.0