纳米多孔硅含能芯片性能研究

• 作者: 任小明 卢斌 杜云峰 薛艳 解瑞珍
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 多孔硅含能芯片 MEMS 表征 点火
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TJ450.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-1480.2008.06.003

摘要

采用MEMS(Micro-eleclromechanical Systems)工艺在硅片上加工耐HF酸掩模窗口,结合电化学腐蚀法制备出多孔硅阵列.通过扫描电镜和比表面积测试仪对多孔硅进行了性能表征,结果表明:多孔硅具有均匀的纳米尺度孔径、较大的比表面积以及良好的海绵体的结构特性.通过原位形成多孔硅含能芯片,进行了热发火和机械撞击发火试验,结果表明:在没有壳体限制条件时,纳米多孔硅含能芯片在热和机械能刺激下发生强烈点火或者爆炸.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢斌	中国兵器工业第213研究所应用物理化学国家级重点实验室	11	71	5.0	8.0
2	杜云峰	中国兵器工业第213研究所应用物理化学国家级重点实验室	8	23	3.0	4.0
3	薛艳	中国兵器工业第213研究所应用物理化学国家级重点实验室	3	32	3.0	3.0
4	任小明	中国兵器工业第213研究所应用物理化学国家级重点实验室	2	20	2.0	2.0
5	解瑞珍	中国兵器工业第213研究所应用物理化学国家级重点实验室	5	32	3.0	5.0