GaN基蓝光LED关键技术进展

• 作者: 刘一兵
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 蓝光LED 金属有机物气相外延 P型掺杂 欧姆接触 刻蚀 切割
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN311
• 字数: 3790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2008.03.010

摘要

以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击,并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指出了需要改进的问题,展望了末来的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘一兵	湖南大学电气与信息工程学院	22	487	12.0	22.0