部分耗尽SOI MOSFETs中沟道的非对称掺杂效应

• 作者: 周益春 唐俊雄 唐明华 张俊杰 杨锋 郑学军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AC部分耗尽SOI MOSFETs 输出特性 击穿电压
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1070-1074
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.011

摘要

利用二维模拟软件对部分耗尽SoI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽SOI,能抑制浮体效应,改善器件的击穿特性.同时跟已有的全耗尽SOI非对称掺杂器件相比,部分耗尽器件性能随参数变化,在工业应用上具有可预见性和可操作性.因为全耗尽器件具有非常薄的硅膜,而这将引起如前栅极跟背栅极的耦合效应和热电子退化等寄生效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周益春	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	108	552	11.0	21.0
2	唐明华	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	19	101	4.0	10.0
3	唐俊雄	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	杨锋	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	张俊杰	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	4	11	1.0	3.0