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MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器
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摘要：
利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255 nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10 V偏压下,器件的光响应峰值在250 nm,截止边为273 nm的MgZnO太阳盲光电探测器.
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发光学报
主办单位：
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-7032
CN：
22-1116/O4
开本：
大16开
出版地：
长春市东南湖大路16号
邮发代号：
12-312
创刊时间：
1970
语种：
chi
出版文献量（篇）
4336
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