MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器

• 作者: 单崇新 吕有明 姚斌 张吉英 申德振 范希武 蒋大勇 鞠振刚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZnO薄膜 太阳盲光电探测器 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 865-868
• 页数: 4页
• 分类号: O742.8
• 字数: 1441字
• 语种: 中文

摘要

利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255 nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10 V偏压下,器件的光响应峰值在250 nm,截止边为273 nm的MgZnO太阳盲光电探测器.