刻蚀与退火对GaN欧姆接触的影响

• 作者: 丁国建 丁红胜 江忠胜 鲁丽君
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: n-GaN 欧姆接触 刻蚀 退火
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 实验与应用
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: O484.42
• 字数: 3960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2008.02.003

摘要

使用干法刻蚀在GaN LED晶片上刻蚀n区,用电子束蒸发方法在n型GaN表面上淀积Ti/Al双金属层作为接触电极,在N2环境中进行退火.探讨不同的刻蚀方法和刻蚀条件及不同的退火条件对Ti/Al-n型GaN间欧姆接触的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁红胜	北京科技大学应用科学学院	46	350	10.0	16.0
2	江忠胜	北京科技大学应用科学学院	2	2	1.0	1.0
3	鲁丽君	北京科技大学应用科学学院	2	30	2.0	2.0
4	丁国建	北京科技大学应用科学学院	1	2	1.0	1.0