ESD保护器件在多晶硅上的实现

• 作者: 孙郯
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: ESD ESD模型 TLP 多晶硅
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 74-76,118
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 1570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-2552.2008.12.024

摘要

静电放电现象是导致集成电路损坏的一个重要原因,目前绝大多数集成电路中的ESD保护电路都是在硅片上实现的,这将占用一定的硅片面积,提升电路的成本.如果能够在多晶硅层(垂直空间)实现ESD保护器件,就能够节约一定的面积,从而节约成本.介绍了对于在多晶硅上实现的静电保护器件的研究结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙郯	上海交通大学微电子学院	1	5	1.0	1.0