基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用

• 作者: 孙立宁 李欣昕 王家畴 荣伟彬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1589-1594
• 页数: 6页
• 分类号: TP212
• 字数: 4057字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.035

摘要

为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作榆测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍.同时把位移传感器集成到基于体硅工艺的纳米级定位平台上,实验测试表明.这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容,位移传感器的灵敏度优于0.903mV/μm,线形度优于O.814%,分辨率优于12.3nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王家畴	哈尔滨工业大学先进机器人与系统国家重点实验室	10	92	6.0	9.0
3	荣伟彬	哈尔滨工业大学先进机器人与系统国家重点实验室	98	1491	23.0	33.0
4	孙立宁	哈尔滨工业大学先进机器人与系统国家重点实验室	379	7003	43.0	61.0
5	李欣昕	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室	3	2	1.0	1.0