作者:
原文服务方: 电工材料       
摘要:
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷,并对样品进行了微观形貌、相结构及Ⅰ-Ⅴ特性测试分析,发现Co0.04W0.96O3多晶陶瓷存在着奇特的负微分电阻特性.微分电阻随电场变化的曲线图揭示了CoW缺陷有着与众不同的特点,正是这种缺陷的存在使得多晶陶瓷具有负微分电阻特性.主要讨论了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷负微分电阻特性的产生机制,并提出了二次势垒模型.
推荐文章
纳米Gd2O3掺杂对WO3基陶瓷电学行为的影响
WO3基压敏陶瓷
I-V特性
介电常数
微观结构
相结构
(V2O5,Ta2O5)双掺杂的WO3陶瓷的电学行为研究
WO3陶瓷
掺杂
微观结构
非线性
WO3掺杂对V2O5/TiO2-SnO2催化剂NH3选择性催化还原NOx的影响
三氧化钨
五氧化二钒
TiO2-SnO2固溶体
载体
选择催化还原
催化剂
WO3对Pt/α-Al2O3催化萘深度加氢的促进作用
十氢萘
载体
氧化钨
加氢
催化剂
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 Co2O3掺杂WO3陶瓷的电学特性
来源期刊 电工材料 学科
关键词 陶瓷材料 掺杂 负微分电阻 二次势垒
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 研究·分析·实验
研究方向 页码范围 6-9
页数 4页 分类号 TM282
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-8887.2008.01.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王豫 西南交通大学超导研究中心 50 254 8.0 13.0
2 张英 西南交通大学超导研究中心 11 20 2.0 4.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (10)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1970(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1994(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(4)
  • 参考文献(4)
  • 二级参考文献(0)
2007(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
陶瓷材料
掺杂
负微分电阻
二次势垒
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电工材料
双月刊
1671-8887
45-1288/TG
大16开
1973-01-01
chi
出版文献量(篇)
1336
总下载数(次)
0
总被引数(次)
5113
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导