LPCVD制备氮化硅薄膜工艺

• 作者: 简崇玺
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 低压化学气相淀积 温度
• 年，卷（期）: jcdltx,（2）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.24

摘要

氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性，在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特性，详细介绍了低压化学气相淀积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）LPCVD制备氮化硅的工艺。工艺制备中通过工艺参数的调整使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。

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1	简崇玺		3	0	0.0	0.0