基于DOE优化设计抛光工艺参数

• 作者: 何良恩 刘建刚 卢海参
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 硅片 实验设计
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 401-403
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.010

摘要

适宜的抛光工艺参数对Si片表面平整度TTV、TIR、STIR等参数起到至关重要的作用.介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施,指出并说明CMP是一种化学作用和机械作用相结合的技术,给出了其影响因素.利用DOE(design of experiment)实验方法,结合实际生产条件,获得并验证了最优化的生产工艺参数,改善了Si片表面平整度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢海参		1	6	1.0	1.0
2	何良恩		1	6	1.0	1.0
3	刘建刚		1	6	1.0	1.0