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摘要:
碳基材料作为场发射阴极的候选对象,一直是场发射领域中的研究热点,掺杂则是提高场发射性能的重要手段之一,由于基质材料和掺杂物的不同,掺杂可能产生提高电导率、调制功函数、改变粒度大小、引入缺陷等诸多效果.综述了这些可能的掺杂效果以及对场发射性能带来的影响,分析了各种碳基材料与杂质之间的关系,指出了今后需解决的主要问题,并为以后的研究提出了一些建议.
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文献信息
篇名 掺杂对碳基材料场发射的影响
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 碳基材料 掺杂 场发射
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 79-82
页数 4页 分类号 TB3
字数 5711字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-023X.2008.06.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张雷 上海理工大学理学院 58 325 11.0 14.0
2 王小平 上海理工大学理学院 34 376 7.0 19.0
3 王丽军 上海理工大学理学院 34 376 7.0 19.0
4 段新超 上海理工大学理学院 6 11 2.0 3.0
5 王隆洋 上海理工大学理学院 7 54 3.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳基材料
掺杂
场发射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
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