中频磁控溅射制备GaN薄膜

• 作者: 丁咚 付德君 邹长伟 郭立平 阴明利
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 中频磁控溅射 GaN X射线衍射 沉积速率
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 515-518
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O47
• 字数: 2486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.07.009

摘要

采用中频磁控溅射技术,以金属Ga为靶材料,在si(111)衬底上形成了GaN薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响.发现沉积气压为0.4～1.0 Pa时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0 Pa和小于0.4 Pa时,用X射线衍射方法难以观察到GaN(002)的衍射峰.X射线能谱分析表明在最佳实验条件下制备的GaN薄膜的元素比Ga∶N为1∶1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭立平	武汉大学物理学院加速器实验室	18	35	3.0	4.0
2	付德君	武汉大学物理学院加速器实验室	28	94	6.0	8.0
3	丁咚	武汉大学物理学院加速器实验室	2	51	2.0	2.0
4	阴明利	武汉大学物理学院加速器实验室	2	9	2.0	2.0
5	邹长伟	武汉大学物理学院加速器实验室	2	9	2.0	2.0