低功率共溅射再硒化法制备CuInSe2薄膜

• 作者: 何建平 朱洁 李健
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 共溅射 Cu-In合金膜 硒化法 CIS膜
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 130-134
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2008.02.002

摘要

采用Cu、In双靶,直流磁控溅射的方法制备Cu-In薄膜,然后采用固态源硒化的方法形成CuInSe2(CIS)薄膜.采用SEM和EDX观察和分析了样品的表面形貌和成分,用XRD表征了薄膜的组织结构.分析了硒化中的反应过程并研究了热处理对改善薄膜质量的影响.结果表明,Cu-In预制膜主要以CuIn相形式存在.由CuIn相为主相的预制膜制成的CIS薄膜具有单一的CuInSe2相黄铜矿结构,且其成分接近CuInSe2化学计量比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洁	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	26	219	9.0	13.0
2	何建平	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	32	263	10.0	15.0
3	李健	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	18	207	9.0	13.0