中波-长波双色量子阱红外探测器

• 作者: 刘英斌 刘跳 尹顺政 李献杰 蔡道民 赵永林 过帆 齐利芳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱红外探测器 双色 暗电流密度 响应光谱 探测率 二维光栅
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 689-693
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23|TN362|TN304.055
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.12.002

摘要

采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2 μm;对制作的500μm×500 μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析.在-3V偏压、77 K温度和300 K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02 mA/cm2;-3 V偏压、80 K温度下MWIR和LWIRQWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2 V偏压、65 K温度下,LWIR和MWIRQWIP的峰值探测率分另q为1.4×104、6×1010 cm·Hz1/2/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	54	5.0	7.0
2	赵永林	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	39	3.0	5.0
3	李献杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	74	6.0	7.0
4	齐利芳	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	28	3.0	5.0
5	过帆	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	16	1.0	1.0
6	蔡道民	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	43	3.0	6.0
7	尹顺政	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	27	3.0	5.0