可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用

• 作者: 于涛 刘一鸣 刘戈 孙云 李凤岩
• 来源期刊: 真空
• 学科: 化学
• 关键词: 铜铟镓硒 溅射 SPIK-2000 A
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 87-89
• 页数: 3页
• 分类号: TB43|O614.37
• 字数: 2038字
• 语种: 中文

摘要

用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层.通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制,进而实现对最后元素配比的控制.实验中发现,在一个溅射周期中,Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大,其次是In靶溅射时间,非溅射时间的长短对成分也有影响.交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测,合金相主要为Cu11In9.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙云	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜与器件重点实验室	33	390	11.0	19.0
2	李凤岩	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜与器件重点实验室	16	135	6.0	11.0
3	于涛	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜与器件重点实验室	24	57	4.0	7.0
4	刘戈	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜与器件重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	刘一鸣	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜与器件重点实验室	1	1	1.0	1.0