VO2薄膜制备及掺杂研究进展

• 作者: 吴东 李智东 葛振华 赵昆渝 邹平
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: VO2薄膜 制备工艺 掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 综述·动态
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TM205.1|O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8887.2008.04.009

摘要

二氧化钒(VO2)是一种性能优异的功能材料,在68℃左右发生金属态-半导体态的转变,其光学和电学性能发生突变,在热电开关、光存储介质和激光防护方面有广泛的应用前景.但是由于钒氧体系十分复杂,给制备高质量的VO2带来了困难.人们做了许多工作来研究VO2的结构性能,使用不同的工艺方法制备VO2以及通过掺杂降低其相变温度.本文通过一些有代表性的VO2的研究成果,从制备工艺和元素掺杂方面做了介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李智东	昆明理工大学材料与冶金工程学院	29	219	9.0	14.0
2	赵昆渝	昆明理工大学材料与冶金工程学院	71	455	11.0	18.0
3	邹平	昆明理工大学材料与冶金工程学院	76	1009	14.0	30.0
4	吴东	昆明理工大学材料与冶金工程学院	7	45	4.0	6.0
5	葛振华	昆明理工大学材料与冶金工程学院	7	35	4.0	5.0