InP/InGaAs HBT的频率特性分析

• 作者: 任晓敏 吴强 马晓晖 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极型晶体管 小信号电路模型 截止频率 功率增益
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 156-160,164
• 页数: 6页
• 分类号: TN322
• 字数: 2567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2008.03.003

摘要

频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标.首先基于InP/InGaAs HBT器件的物理结构构建了小信号等效电路模型,对该模型进行了理论分析,随后基于提取的有效参数结果,对该等效电路模型的频率特性进行了详细的计算和仿真,分析了影响fT,fmax的一些主要因素,得出的结论对于InP/InGaAs HBT的设计制作和性能优化具有一定的指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	189	942	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	59	282	10.0	12.0
4	吴强	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	32	131	6.0	9.0
5	马晓晖	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0