光照对阳极化InSb探测器性能影响的研究

• 作者: 刘炜 司俊杰 孙维国 彭震宇 鲁正雄
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: InSb 探测器 钝化 阳极化 陷阱能级
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与材料技术
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: TJ760.5
• 字数: 1529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5048.2008.05.017

摘要

使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器,在可见光照射下,器件反偏漏电流大,零偏阻抗低.通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p/n结表面附近的反型层与P型层连接后起到分流电阻作用,导致器件电性能变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭震宇		6	15	3.0	3.0
2	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
3	司俊杰		33	160	7.0	11.0
4	孙维国		20	99	5.0	8.0
5	刘炜		5	11	3.0	3.0