Ni颗粒对SnBi焊点电迁移的抑制作用

• 作者: 何洪文 徐广臣 聂京凯 郭福
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 电迁移 无铅复合钎料 SnBi Ni颗粒
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TG407
• 字数: 2695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.11.018

摘要

为抑制芯片中微小焊点的电迁移,向共晶SnBi钎料中添加微米级Ni颗粒,并在??0.5 mm铜线接头上形成焊点.结果表明:当电流密度为104 A/cm2、通电96 h后,阳极附近没有出现富Bi层,即电迁移现象得到抑制.这是由于Ni颗粒与Sn形成了IMC,阻挡了Bi沿Sn基体扩散的快速通道,防止了两相分离,提高了焊点可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	聂京凯	北京工业大学材料科学与工程学院	6	43	4.0	6.0
2	郭福	北京工业大学材料科学与工程学院	92	650	13.0	21.0
3	何洪文	北京工业大学材料科学与工程学院	15	148	8.0	11.0
4	徐广臣	北京工业大学材料科学与工程学院	18	161	8.0	12.0