生长气体流量对SiC单晶缺陷的影响

• 作者: 杨莺 林涛 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 缺陷 腐蚀 PVT
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 851-854
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.008

摘要

实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关.对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其刃位错、螺位错与微管密度分别为2.82×105,94和38cm-2;对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其上述缺陷密度分别为9.34×105,2和29cm-2.结果表明:随着生长气体流量的增加,由于避免了N2掺杂,刃位错密度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	林涛	西安理工大学电子工程系	18	40	4.0	5.0
3	杨莺	西安理工大学电子工程系	11	48	5.0	6.0